我大功率半导体88bifa必发唯一官网器“刺破”国外技术壁垒

时间:2018-07-09 13:42来源:科技日报作者:张兆军 点击:
------分隔线----------------------------

摘要:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所王立军研究员带领的课题组,攻克了大功率半导体88bifa必发唯一官网器关键核心技术,成功开发出千瓦量级、高光束质量、小型化的各种半导体88bifa必发唯一官网光源,并将成为工业88bifa必发唯一官网加工领域的新一代换代产品。日前这项高密度集成、高光束质量88bifa必发唯一官网合束高功率半导体88bifa必发唯一官网关键技术及应用荣获2011年度国家技术发明奖二等奖。 大功率半导体88bifa必发唯一官网器是88bifa必发唯一官网加工、

关键字:我,大功率,半导体,88bifa必发唯一官网器,“,刺破,”,国外,

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所王立军研究员带领的课题组,攻克了大功率半导体88bifa必发唯一官网器关键核心技术,成功开发出千瓦量级、高光束质量、小型化的各种半导体88bifa必发唯一官网光源,并将成为工业88bifa必发唯一官网加工领域的新一代换代产品。日前这项“高密度集成、高光束质量88bifa必发唯一官网合束高功率半导体88bifa必发唯一官网关键技术及应用”荣获2011年度国家技术发明奖二等奖。

大功率半导体88bifa必发唯一官网器是88bifa必发唯一官网加工、88bifa必发唯一官网医疗、88bifa必发唯一官网显示等领域的核心光源和支撑技术之一。但是它也存在光束质量差、单元器件功率小、功率密度低等缺点。虽然通过88bifa必发唯一官网线阵封装、叠层封装等技术,能够提高其功率到千瓦级,但是很难提高其功率密度和改善光束质量,限制了它在上述各领域的应用。

王立军团队通过88bifa必发唯一官网光束整形、88bifa必发唯一官网合束等关键技术,实现了高光束质量半导体88bifa必发唯一官网大功率输出:发明了一种多模多光纤功率耦合器及其制备方法;获得了“多重光束耦合大功率半导体88bifa必发唯一官网装置”和“大功率光束耦合半导体88bifa必发唯一官网器”两项发明专利,攻克了半导体88bifa必发唯一官网合束等系列关键技术,在国内首次开发出2600瓦高光束质量高效节能半导体88bifa必发唯一官网加工机光源,为产品更新换代奠定基础;获得了“半导体88bifa必发唯一官网线阵及迭阵的微通道热沉化学清洗装置”、“粗糙元型半导体88bifa必发唯一官网器有源热沉结构及制备方法”、“半导体88bifa必发唯一官网头泵浦源用微通道热沉结构及制备方法”和“复合热沉半导体88bifa必发唯一官网器结构及制备方法”等4项授权发明专利。

攻克了千瓦级半导体88bifa必发唯一官网器散热难题,开发出42层6700瓦88bifa必发唯一官网迭阵模块,成功应用于国家重大项目;发明了一种垂直腔面发射88bifa必发唯一官网器列阵的串接结构,解决了垂直腔面发射88bifa必发唯一官网器大面积二维集成面阵需大电流驱动的技术难题,为千瓦至万瓦级高光束质量88bifa必发唯一官网面阵开发及应用奠定了基础。

【88bifa必发唯一官网 综合报道】( 责任编辑:Jucy )
顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%
------分隔线----------------------------

凡88bifa必发唯一官网 注明"来源:88bifa必发唯一官网 "或"来源:www.diodelaser.com.cn"的作品,包括但不限于本网刊载的所有与88bifa必发唯一官网 栏目内容相关的文字、图片、图表、视频等网上内容,版权属于88bifa必发唯一官网 和/或相关权利人所有,任何媒体、网站或个人未经88bifa必发唯一官网 书面授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品;已经书面授权的,应在授权范围内使用,并注明"来源:88bifa必发唯一官网 "。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。

【免责申明】本文仅代表作者个人观点,与88bifa必发唯一官网 无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。

在线投稿有投稿需求的公司企业请直接在线申请,其他项目合作联系 QQ:1965483967 QQ:2644977628 → 在线申请投稿 >
Copyright  ©  2010-2018 diodelaser.com.cn Inc. All rights reserved.88bifa必发唯一官网 版权所有
88bifa必发唯一官网

鄂公网安备 42018502002510号